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Xilinx SRAM 型FPGA抗辐射设计技术研究
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GONGCHK
最后登陆时间：2015-01-28 23:44:48 |
针对XILINX SRAM型FPGA在空间应用中的可行性，分析了Xilinx SRAM型 FPGA的结构，以及空间辐射效应对这种结构FPGA的影响，指出SRAM型的FPGA随着工艺水平的提高、器件规模的增大和核电压的降低，抗总剂量效应不断提高，抵抗单粒子效应，尤其是单粒子翻转和单粒子瞬态脉冲的能力降低。分析了FPGA综合后常见的HALF-LATCH在辐射环境中的影响并结合实际工程实践给出了解决上述问题的一些有用方法和注意事项，如，冗余设计、同步设计、算术逻辑运算结果校验、自检等。最后还提出一种基于COTS器件的“由顶到底”的星载信号处理平台结构，分析了这种结构在抗辐射效应时的优势。有关FPGA抗辐射的可靠性设计方法已经在某卫星通信载道中成功应用，并通过了各种卫星环境试验，该技术可以为有关航天电子设备设计提供参考。 关键词：Xilinx 辐射 设计 技术 研究 |
 GONGCHK。 |
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